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            反應離子刻蝕機PlasmaStar 100

            簡(jiǎn)要描述:反應離子刻蝕機PlasmaStar 100儀器介紹
            PlasmaSTAR®系列等離子處理系統適合處理所有的材料,擁有多種腔室和電極配置,可滿(mǎn)足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小,用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外,觸摸屏計算機控制,多級程序控制和組件控制,操作簡(jiǎn)單。PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的*功能。

            • 產(chǎn)品型號:PlasmaStar 100/100 RIE
            • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
            • 更新時(shí)間:2024-05-16
            • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:4367

            詳細介紹

            腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤(pán)電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。

            1、腔體尺寸:直徑≥200mm,深度≥280mm;

            2、腔體材質(zhì):硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁矩形腔體;

            3、處理腔背面材質(zhì):鋁;

            4、處理腔門(mén):要求全自動(dòng)腔門(mén);

            5、兩路工藝氣體,≥2路質(zhì)量流量控制器控制氣體流量,氣體輸入腔室帶勻流設計;

            6、射頻功率:0~600W連續可調,13.56MHz,自動(dòng)匹配,自然風(fēng)冷;

            7、配備RIE平面水冷平板電極;

            8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶(hù)界面; 

            9、程序控制:觸摸屏電腦控制,無(wú)線(xiàn)程序存儲;

            10、Windows操作系統,兼容Windows office軟件,USB接口,可進(jìn)行外部電腦遠程控制的功能;

            11、狀態(tài)和出錯信息提示,過(guò)程數據和出錯信息存儲,可選擇自動(dòng)和手動(dòng)操作模式,過(guò)程數據可以導出,工藝參數以圖形方式呈現,可實(shí)時(shí)監控,自動(dòng)實(shí)現泄露檢測;

            12、配套緊急急停按鈕(EMO),配套電路斷路器,機械聯(lián)鎖(門(mén)傳感器)和真空聯(lián)鎖(壓力開(kāi)關(guān)),通過(guò)軟件可進(jìn)行遠程的真空聯(lián)鎖;

            13、典型的光刻膠刻蝕速率:80nm/min;

            14、典型工藝均勻性:≥±10%;

             

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